Na tecnologia de fabricação de Circuitos Integrados, a deposição por vapor químico (CVD- chemical vapour deposition) é um processo pelo qual os gases ou vapores são usados para depositar o SiO2 sobre o substrato de silício. A camada de óxido, formada por CVD, não apresenta as mesmas características da camada crescida termicamente, mas é eficiente como isolante térmico. Além disso, uma vantagem da camada de SiO2 produzida pelo CVD, comparada com a produzida por crescimento térmico, é