Magna Concursos
1330355 Ano: 2009
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFSC
Orgão: UFSC
Provas:
Identifique se são verdadeiras (V) ou falsas (F) as afirmativas com relação aos transistores de efeito de campo.
( ) O MOSFET tipo reforço, também conhecido por intensificação ou enriquecimento, de canal P, na região de saturação, apresenta uma relação quadrática entre a corrente de dreno e a tensão porta-fonte quando esta é negativa.
( ) A inversão da conexão dos terminais dreno e fonte do transistor JFET em um circuito amplificador não altera o desempenho do circuito.
( ) O transistor MOSFET tipo depleção de canal P apresenta corrente de dreno apenas quando a tensão porta-fonte é maior que zero.
Assinale a alternativa que representa a sequência CORRETA, de cima para baixo.
 

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