Um engenheiro, ao realizar testes com um transistor MOSFET de canal N tipo enriquecimento, conectou o terminal fonte ao erra e aplicou uma tensão de 1,5V ao terminal de porta. É sabido que este transistor possui uma tensão de limiar (V_t) de 0,7V. Em seguida, aplicou tensões ao terminal de dreno com valores de: 0,5V; 0,9V e 2 V. Pode-se afirmar que, para cada valor de tensão aplicada ao dreno, o transistor estava operando, respectivamente, nas regiões de: