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Respondida
1395388
Ano:
2012
Disciplina:
Engenharia Eletrônica
Banca:
FUNRIO
Orgão:
CEITEC
Provas:
Técnico em Eletrônica Avançada - ADGEPR1
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Tópicos avançados em microeletrônica
Para a fabricação de um perfil de dopagem rasa tipo n em substrato de silício, devemos utilizar as seguintes condições de implantação iônica:
A
baixa energia e Elemento a ser implantado: B.
B
baixa energia e Elemento a ser implantado: As.
C
alta energia e Elemento a ser implantado: P.
D
alta energia e Elemento a ser implantado: B.
E
alta energia e Elemento a ser implantado: As.
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