Questão 1402939

1402939 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC

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Especialista em Tecnologia Eletrônica Avançada - PESDES
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Tópicos avançados em microeletrônica

As afirmativas abaixo se referem às dificuldades relativas ao aumento da integração nos circuitos integrados. São afirmativas verdadeiras, EXCETO:

Para comprimento de porta em estruturas MOS abaixo de 130 nm o óxido de silício deve ser da ordem de 2nm, e tunelamento através do óxido aumenta fortemente.

O dielétrico de porta deve também ser espesso o suficiente para inibir o efeito da difusão de boro, do silício para o dielétrico.

Os materiais com constante dielétrica alta permitem que a redução da área do capacitor não seja exija a redução da espessura do dielétrico.

Silicato de háfnio e dióxido de háfnio tem sido usados com algum sucesso atualmente pela indústria.

A substituição de óxido de silício pelos materiais com alto k leva ao surgimento de estados localizados na interface.

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