Quais as motivações para o emprego da implantação de íons em substituição à difusão em forno térmico?
1- Controle preciso da profundidade de junção através da energia de aceleração do feixe de íons.
2- Controle preciso da concentração de dopantes na junção através da dose de implantação de íons.
3- Permite o uso de máscara de fotoresiste, pois, normalmente, é um processo executado em temperatura ambiente.
2- Controle preciso da concentração de dopantes na junção através da dose de implantação de íons.
3- Permite o uso de máscara de fotoresiste, pois, normalmente, é um processo executado em temperatura ambiente.
Está (ão) correta(s) apenas a(s) afirmativa(s):
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