Em dispositivos optoeletrônicos, a eficiência quântica interna (Qs) determina a relação entre o número de
elétrons na camada de covalência e o número de lacunas da junção p-n.
elétrons que atravessam a junção p-n e o número de lacunas receptoras.
fótons emitidos e o número de portadores que conseguem recombinar.
fótons gerados e o número de portadores que atravessam a junção p-n e que conseguem se recombinar.
íons gerados e o número de recombinações de portadores.
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