Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn) puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho a 20 °C é igual a 10⁻⁶ Ω∙m, a mobilidade dos elétrons desse dispositivo é igual a 0,0005 m² /(V∙s) e o coeficiente de temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C⁻¹.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.


A velocidade de arraste no dispositivo, considerando-se a aplicação de um campo elétrico de 30 V/m, é igual a 15 mm/s.