O silício, Si, considerado um semicondutor, em sua forma pura, apresenta uma resistividade muito alta !$ ( 2,5x10^3\, \Omega.m) !$ , a qual o torna com comportamento de um isolante, e, nestas condições, inviável para aplicações em circuitos eletrônicos. Essa resistividade pode ser reduzida de forma controlada, pela adição de pequenas quantidades de “impurezas” químicas ao semicondutor, processo chamado de dopagem eletrônica. A resistividade do Si, após dopagens tipo n com fósforo !$ (8,7x10^3\, \Omega.m) !$ e tipo p com alumínio !$ (2,8x10^{-3}\, \Omega.m) !$ , possibilita sua utilização para fins de aplicações em eletrônica, dada melhor resposta na sua condutividade. A dopagem pode ser feita durante o crescimento do cristal, por liga, por difusão térmica e implantação iônica. Quanto às técnicas de dopagens é correto afirmar que: