Magna Concursos
2374941 Ano: 2007
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: Consulplan
Orgão: EMBRAPA
Provas:

Considere as afirmações dos itens a seguir:

I. O FET de óxido de semicondutor e metal MOSFET tem uma fonte, uma porta e um dreno. A diferença básica para o JFET é porta isolada eletricamente do canal. Por isso, a corrente de porta é extremamente pequena, para qualquer tensão positiva ou negativa.

II. O MOSFET de modo crescimento ou intensificação é uma evolução do MOSFET de modo depleção e de uso generalizado na indústria eletrônica, em especial nos circuitos digitais.

III. Os fototransistores são constituídos basicamente de duas junções, havendo uma janela que permite a incidência da luz sobre a junção base-emissor, aumentando a condutividade deste diodo emissor, com o conseqüente aumento da corrente de coletor.

Está(ão) correta(s) apenas a(s) assertiva(s):

 

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Técnico em Eletrônica

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