Um passo da fabricação de circuitos integrados é a dopagem de um semicondutor com elementos dos grupos III e VI, a fim de formar uma junção PN. Para fazer isso, pode-se submeter a superfície de um wafer de silício (Si), inicialmente dopado com boro (B) uniformemente distribuído pelo wafer, a uma atmosfera rica em fósforo (P). Aquecendo-se o wafer, o fósforo (P) se difundirá pela superfície até uma profundidade em que a concentração de fósforo (P) e boro (B) seja a mesma. Essa profundidade é conhecida como largura da junção.

Considere um wafer de silício (Si) com concentração de boro (B) de 10¹⁶ átomos/cm3 submetida a uma atmosfera rica em fósforo (P) com concentração igual a 5 x 10¹⁸ átomos por/cm3 a 1000o C de temperatura. Considere ainda que, a 1000º C o coeficiente de difusão do fósforo (P) no silício (Si) é de 1,25 x 10^-14 cm²/s e que a concentração inicial de fósforo (P) na superfície do wafer é igual a zero. O tempo, aproximadamente, para que o wafer seja mantido nessas condições para que a largura da junção seja igual a 1 μm será de:

(Utilize a tabela abaixo para valores da função erro).

Z	erf z	Z	erf z
0,0 0,2 0,6 1,0 1,4	0,0000 0,2227 0,6039 0,8427 0,9523	1,6 1,8 2,0 2,6 3,0	0,9763 0,9891 0,9980 0,9998 1,0000