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Respondida
158578
Ano:
2012
Disciplina:
Engenharia Eletrônica
Banca:
FCC
Orgão:
TRF-2
Provas:
Analista Judiciário - Engenharia Elétrica
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Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica
Transistores
Sobre o IGBT, é correto afirmar que é um dispositivo
A
de elevada impedância, mas de baixa corrente.
B
de baixíssima impedância de entrada, mas de alta velocidade.
C
usado em sistemas de comutação de cargas de alta corrente, mas de baixa velocidade.
D
usado em sistemas de comutação de cargas de alta corrente em alta velocidade.
E
usado em sistemas de comutação de cargas de baixa corrente, mas de elevada velocidade.
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