o IGBT é um dispositivo semicondutor capaz de acionar cargas indutivas e resistivas com alta velocidade de comutação e baixa dissipação de energia, pois sua arquitetura está baseada no arranjo de dois TRIACs em antiparalelo, sem gate.

o IGBT é largamente utilizado em circuitos dos inversores de frequência, pois são ágeis e possuem seu gate ligado diretamente à pastilha onde se encontra o emissor, sem isolação entre eles.

o IGBT é um transistor bipolar de gate isolado.

os amplificadores de áudio nunca utilizam IGBTs, pois sua comutação produz ruídos audíveis incompatíveis com essa aplicação, dado ao fato da impedância de entrada do IGBT ser muito baixa, da ordem de 100 Ω.

a velocidade de comutação do IGBT é atribuída à sua arquitetura baseada em diodos de germânio associados ao efeito Shockley e a um DIAC inserido em sua junção base-emissor.