O TJB de alta potência apresenta alguns fatores desfavoráveis, como a baixa capacidade de ganho de corrente, tornando-se necessário, para superar esse inconveniente, o desenvolvimento e a fabricação da estrutura darlington aplicada aos TJB, que possui dois transistores em um único encapsulamento e produz efeito multiplicação dos fatores de ganho de corrente (βcc), de modo que, dessa maneira, o ganho de corrente final do componente é dado por β₁xβ₂.