Segundo Balbinot (2010), o field effect transistor (FET), ou transistor de efeito de campo, é um dispositivo unipolar, sua operação parte do princípio de que um campo elétrico perpendicular a um fluxo de corrente controla a resistência de um canal constituído por portadores do tipo “P” ou portadores do tipo “N”, os quais constituem, respectivamente, FET de canal P e FET de canal P e FET de canal N. Referente às principais vantagens do FET em relação ao transistor bipolar, assinale V, se verdadeiras, ou F, se falsas.

( ) Baixa impedância de entrada.

( ) Maior imunidade a ruído.

( ) Menor estabilidade térmica.

( ) Fabricação relativamente simples.

A ordem correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é: