50 kg de silício policristalino de grau eletrônico é colocado no cadinho de um sistema de crescimento Czochralsky. A massa molar do silício é 28,09 g/mol e a massa molar do boro é 10,81 g/mol. O coeficiente de segregação do boro na interface entre o silício fundido e o sólido é 0,8.

A relação entre resistividade e concentração de impurezas está mostrada na figura abaixo.

Avalie quanto boro é necessário adicionar ao cadinho de maneira a puxar um cristal com resistividade de 1 ohm.cm.