As alternativas abaixo se referem ao processo de deposição química a partir de vapor em baixa pressão.
I – É um processo controlado pela taxa de reação.
II – A temperatura deve ser muito bem controlada e uniforme em todas as superfícies do wafer.
III – Um fluxo constante e uniforme de gases reagentes deve alcançar todas as superfícies do wafer.
Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).
Provas
Questão presente nas seguintes provas
