Questão 1395556

1395556 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC

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Especialista em Tecnologia Eletrônica Avançada - FILFIN
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Tópicos avançados em microeletrônica

A utilização de silicetos na estrutura auto-alinhada possibilita

a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a baixa velocidade de operação do dispositivo.

a resistência alta de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.

a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, maximizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.

a resistência alta de porta e áreas de fonte e dreno, maximizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.

a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.

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