A oxidação térmica do silício tem como finalidade
I – formar máscaras que impedem a implantação iônica e a difusão de dopante no silício (Si).
II – auxiliar na conexão de circuitos, dada a alta condutividade do dióxido de silício (SiO2).
III – a passivação da superfície do wafer.
Assinale a alternativa correta.
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