o MOSFET canal N é utilizado em aplicações em que há a necessidade de operar na região linear, pois sua impedância de entrada na junção gate-source é da ordem de 150 mΩ.

os MOSFETs são dispositivos construídos com circuito formado por diodos de germânio e TRIACs em antiparalelo, com a inserção em série de um transistor UJT para isolar o gate.

os MOSFETs não são utilizados em circuitos de acionamento de cargas indutivas, pois só podem operar na região de saturação e corte, por causa de suas características construtivas.

o MOSFET do tipo intensificação não possui gate, assim o terminal de controle é denominado base, conforme no transistor bipolar, pois não há isolação de dióxido de silício em sua construção.

as capacitâncias de depleção fonte-corpo e dreno-corpo são associadas às junções PN reversamente polarizadas.