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Respondida
124547
Ano:
2010
Disciplina:
Engenharia Eletrônica
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Orgão:
INMETRO
Provas:
Pesquisador - Engenharia Eletrônica
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Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica
Transistores
Com relação a transistores de efeito de campo do tipo
MOS,
assinale a opção correta.
A
Em um transistor do tipo enriquecimento,
NMOS,
deve ser aplicada uma diferença de potencial negativa entre porta e fonte para que seja induzido um canal
N.
B
No transistor
MOS,
o substrato deve ser fortemente dopado, e a fonte e o dreno devem ser levemente dopados.
C
O transistor
MOS,
quando é usado como amplificador linear, deve ser operado na região de triodo.
D
No transistor
NMOS
do tipo enriquecimento, o corpo é composto por material tipo
P.
E
Por usar um canal induzido, o transistor
NMOS
tem impedância de entrada muito menor que a do transistor bipolar.
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