Quando se considera o transistor bipolar de porta isolada, IGBT, pode-se afirmar que:
tem a impedância de entrada do MOSFET e a capacidade de fornecimento de corrente do transistor bipolar.
tem a impedância de entrada do transistor bipolar com o ganho de tensão do MOSFET.
só deve ser usado em freqüências muito altas.
não deve ser usado com altas correntes.
é um transistor bipolar igual aos outros.
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