Um transistor MOS (Metal-Óxido-Semicondutor) de canal “n” foi fabricado com comprimento mínimo da porta de 2 μm. Além disso, a transcondutância do processo k’_n é igual a 10 μA/V² e a tensão de limiar é igual a 0,5 V. Sabe-se que o transistor opera na região de triodo com tensão de dreno para fonte muito pequena e com a tensão de porta para fonte de +5,5 V. Considerando que se deseja assegurar que a mínima resistência disponível seja de 1 kΩ, a largura do transistor deve ser aproximadamente igual a: