Questão 1408647

1408647 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC

Provas:

Quando se utiliza a deposição química a partir da fase vapor enriquecida por plasma (PECVD)?

Quando se necessita da difusão de dopantes em temperaturas baixas, menores que 350ºC.

Quando se necessita da deposição de filmes finos em temperaturas altas, maiores que 900ºC.

Quando se necessita da deposição de filmes finos em temperaturas baixas, menores que 350ºC.

Quando se necessita da difusão de dopantes em temperaturas altas, maiores que 900ºC.

Quando se necessita da difusão e deposição de dopantes e filmes em qualquer temperatura.

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