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material |
condutividade térmica (W/cm.K) |
coeficiente de expansão térmica (10-6 x K-1 ) |
constante dielétrica |
resistência elétrica (!$ \mu \Omega !$. cm) |
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metais: |
||||
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prata |
4,3 | 19,0 | 1,6 | |
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cobre |
4,0 | 17,0 | 1,7 | |
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alumínio |
2,3 | 23,0 | 2,8 | |
|
tungstênio |
1,7 | 4,6 | 5,3 | |
|
molibdênio |
1,4 | 5,0 | 5,3 | |
|
semicondutor: |
||||
|
silício |
1,5 | 2,5 | ||
|
substratos isolantes: |
11,8 | |||
|
carbeto de silício (SiC) |
2,2 | 3,7 | 42,0 | |
|
óxido de berílio (BeO) |
2,0 | 6,0 | 6,7 | |
|
óxido de alumínio |
0,3 | 6,0 | 9,5 | |
|
(AR2O3) |
||||
|
dióxido de silício (SiO2) |
0,01 | 0,5 | 3,9 | |
|
poliimido |
0,004 | 3,5 | ||
|
resina de epóxi |
0,004 | 15,0 | 5,0 |
H. B. Bakoglu. Circuits, interconnections and packaging for VLSI. 1.ª ed., EUA: Addison-Wesley, 1990.
Considerando os dados apresentados na tabela acima, julgue o item.
Molibdênio, apesar de não ser um condutor elétrico tão bom quanto o cobre, possui um alto ponto de fusão. Essa característica não o torna apropriado para substratos cerâmicos com vários níveis de interconexões.
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