A corrente de saturação é diretamente proporcional à largura da base e inversamente proporcional à área da junção emissor-base.

O valor do ganho de corrente de emissor comum independe dos valores de largura da região da base e da razão de dopagem das regiões de base e emissor.

A corrente no emissor é o produto da corrente do coletor pela corrente na base de um transistor bipolar.

A corrente no coletor depende do valor da tensão do coletor enquanto a junção coletor-base permanecer polarizada reversamente.

Há dois componentes responsáveis pela corrente da base, sendo um componente denominado “i_B1”, atribuído às lacunas injetadas da região da base na região do emissor, e o outro componente denominado “i_B2”, que é atribuído às lacunas da base fornecidas pelo circuito externo.