As afirmativas abaixo se referem ao reator de deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

I – Na deposição química a partir de vapor em baixas temperaturas, é possível se posicionar os wafers na vertical, com espaçamento bastante reduzido entre eles, proporcionando o posicionamento de grande número de wafers no interior da câmara, o que compensa as baixas taxas de deposição em relação à deposição química, a partir de vapor à pressão atmosférica.

II – Como os gases reagentes são consumidos ao entrarem em contato com os wafers, a concentração de gases reagentes próxima à entrada da mistura de gases é maior do que a concentração de gases reagentes próxima à saída dos gases.

III - O estabelecimento de um gradiente de temperatura no interior da câmara, com o aumento da temperatura no sentido contrário ao fluxo de gases (temperatura maior na entrada e menor na saída dos gases) é fundamental para aumentar a uniformidade dos wafers.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s):