Sobre o transistor MOS do tipo enriquecimento, são feitas as seguintes afirmações:
I. O potencial aplicado ao terminal de substrato (VB) altera o valor de sua tensão de limiar (Vt).
II. O transistor encontra-se na região de saturação, quando polarizado com seus terminais de porta e dreno unidos.
III. A corrente de dreno (ID) chega a zero, quando a tensão porta-fonte (VGS) for inferior à sua tensão de limiar (Vt).
II. O transistor encontra-se na região de saturação, quando polarizado com seus terminais de porta e dreno unidos.
III. A corrente de dreno (ID) chega a zero, quando a tensão porta-fonte (VGS) for inferior à sua tensão de limiar (Vt).
Estão corretas as afirmativas
