Questão 219640

219640 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: FGV
Orgão: COMPESA

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Analista de Saneamento - Engenheiro Eletrônico
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Conceitos BásicosMateriais Elétricos
Eletromagnetismo

Considere o gráfico de Arrhenius da condutividade elétrica (σ) em função da temperatura (T) de um semicondutor tipo n:
enunciado 219640-1

Adaptado de “Ciencia dos Materiais”, James F. Shackelford, 6ªed, Pearson, 2008.
Analisando o gráfico acima, conclui-se que na faixa de temperatura da

Região I predomina o comportamento extrínseco do semicondutor, devido ao elevado potencial dos portadores de carga do dopante, quando comparado com o potencial da banda de condução.

Região I predomina o efeito de saturação da condução, pois todos os portadores de carga introduzidos pelos dopantes estão na banda de condução, causando máxima capacidade de condução.

Região II predomina o comportamento isolante do semicondutor, pois o número de buracos se iguala ao número de elétrons, eliminando os portadores de cargas e aumentando a resistência superficial de fuga.

Região III predomina o comportamento extrínseco do semicondutor, pois os portadores de cargas dos dopantes atingem a banda de condução em temperaturas inferiores às requeridas pelos elétrons da banda de valência.

Região III predomina o comportamento intrínseco do semicondutor, pois todos os portadores de carga estão na banda de valência, aumentando lentamente a condutividade com a diminuição da temperatura.

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