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Respondida
2429336
Ano:
2012
Disciplina:
Engenharia Eletrônica
Banca:
IF-CE
Orgão:
IF-CE
Provas:
Técnico de Laboratório - Indústria
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Semicondutores de potência (DIAC, TRIAC, SCR, IGBT, GTO)
Sobre os semicondutores MOSFET e IGBT, é
correto
afirmar-se que
A
o IGBT, por apresentar características parecidas ao transistor bipolar, necessita de um circuito de comando com características de fonte de corrente.
B
o MOSFET não apresenta internamente um diodo em antiparalelo com o sentido de condução dreno-source.
C
tanto o MOSFET quanto o IGBT são construídos para operarem com frequência próxima à tensão da rede elétrica.
D
o IGBT normalmente não apresenta um diodo internamente em antiparalelo com o sentido de condução coletor-emissor.
E
tanto os terminais do MOSFET como do IGBT são conhecidos como Gatilho, Coletor e Emissor.
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