O terminal do corpo pode ser desconsiderado, resumindo o MOSFET a um dispositivo de três terminais, visto que o corpo está curto-circuitado com o dreno.

A dopagem do substrato tipo P em um MOSFET de canal N permite a formação de um canal condutor por elétrons quando uma tensão positiva maior que uma tensão de limiar é aplicada na porta.

Dopagens específicas não são necessária para o funcionamento do dispositivo, pois a condução ocorre unicamente por campo elétrico aplicado aos terminais do dreno e do corpo.

O substrato é dopado com material tipo N e o canal é formado entre duas regiões do tipo P, permitindo a condução de lacunas.