MOSFETs são transistores de efeito de campo largamente empregados em projetos de microeletrônica. Analise as sentenças abaixo com relação ao comportamento elétrico de um MOSFET, e assinale a opção correta:

I) A saturação de um NMOSFET, um MOSFET canal N, ocorre quando VDS (o potencial entre dreno e fonte) é maior ou igual à diferença de VGS (o potencial entre porta e fonte) e a tensão de limiar (Vt).

II) Para valores elevados de VDS, a tensão entre porta e o canal varia ao longo deste último, reduzindo conforme se percorre o canal a partir da fonte em direção ao dreno, chegando a um mínimo de VGS – VDS.