Deseja-se utilizar um capacitor a partir de tecnologia MOS (Metal-Óxido-Semicondutor), utilizando a metalização da porta e o substrato como os eletrodos do capacitor. Suponha que se pretenda fabricar um capacitor quadrado com 9,8 pF, com espessura da camada de óxido igual a 5 nm. As dimensões máximas do capacitor serão:

(considere que a permissividade do vácuo seja igual a 8,85 x 10^-12 F/m e que a permissividade do óxido seja igual a 22,125 vezes a permissividade do vácuo)