A tecnologia de fabricação de microeletrônica permite a construção de transistores de efeito de campo com tecnologia MOS (MOSFET). Com relação ao MOSFET é correto afirmar que:

I) Um PMOSFET é um MOSFET de canal P, que pode ser construído sobre um substrato tipo P, com a fonte e o dreno sendo compostos por material tipo N.

II) Um NMOSFET é um MOSFET de canal N, que pode ser construído sobre um substrato tipo P, com a fonte e o dreno sendo compostos por material tipo N.

III) Para cada valor de tensão entre a porta e a fonte (VGS), a relação entre diferença de potencial de dreno a fonte (VDS) e corrente entre estes terminais (IDS) pode ser aproximada por uma constante.

Estão corretas as sentenças: