Seja um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) em um processo de 0,6 μm com espessura do óxido da porta de 10 nm. A concentração de dopantes aceitadores de carga N_A é igual a 5 x 10¹⁸ cm^-3 e a tensão de limiar nominal é igual a 5 V. Se tensão da fonte for igual a 440 mV, a variação na tensão de limiar à temperatura ambiente será igual a:

(Considere os seguintes parâmetros: permissividade do vácuo ε₀ = 8,85 x 10^-14 F/cm; permissividade absoluta do óxido ε_ox = 4ε₀; permissividade absoluta do silício ε_Si = 88,5ε₀; carga elétrica elementar q = 1,6 x 10^-19 C; tensão térmica V_T = 25 mV e concentração intrínseca de portadores de carga n_i = 10¹⁰ cm^-3 à temperatura ambiente. Considere, ainda, para os cálculos que: ln 5 = 1,6 e ln 10 = 2,3.)