A respeito dos materiais elétricos semicondutores, são feitas as seguintes afirmações:
I. quando um material semicondutor composto de átomos de silício é dopado com o elemento químico Fósforo, a concentração de lacunas torna-se maior que antes da dopagem;
II. quando um material semicondutor composto de átomos de silício é dopado com o elemento químico Boro, a a concentração de lacunas torna-se menor que antes da dopagem;
III. tanto os materiais semicondutor dopados com Fósforo quanto os dopados com Boro apresentam elétrons que se movimentam por recombinação.
