A razão de transferência de corrente de um espelho de corrente independe da geometria dos transistores.

O ganho intrínseco de um transistor bipolar depende diretamente da área de junção do dispositivo semicondutor e da corrente de operação.

Em um MOSFET, o ganho intrínseco diminui à medida que a corrente diminui, sendo, portanto, grandezas diretamente proporcionais.

O transistor bipolar de junção apresenta um valor de transcondutância muito maior para um mesmo valor da corrente de polarização cc, se comparado ao MOSFET.

Em um transistor bipolar de junção, a transcondutância independe da corrente de coletor.