Com relação à polarização do transistor, analise as seguintes alternativas:

I. A polarização direta no diodo emissor controla o número de elétrons livres injetados na base. Quanto maior VBE, maior o número de elétrons injetados.

II. A polarização reversa no diodo coletor tem muita influência no número de elétrons que entram no coletor. Aumentando-se VCB tornase menos inclinada a barreira de energia do coletor.

III. A tensão de ruptura não depende da largura da camada de depleção e dos níveis de dopagem.

IV. Aumentando-se V_CB a polarização reversa do diodo coletor aumenta a largura do canal p, o que equivale a uma diminuição na resistência de espalhamento da base.

A seqüência correta é: