Sobre eletrônica geral e semicondutores, analisar os itens abaixo:

I. Um semicondutor é um elemento de valência quatro. Cada átomo de um cristal de silício tem oito elétrons em sua órbita de valência. Num cristal de silício puro, são criados iguais números de lacunas e de elétrons livres pela energia térmica. Os elétrons livres se movem randomicamente através do cristal. Ocasionalmente, um elétron livre se aproxima de uma lacuna, é atraído e capturado. Essa união de um elétron livre com uma lacuna é chamada recombinação.

II. O tempo entre a geração de um elétron livre e seu desaparecimento é chamado tempo de vida. Ele varia de alguns nanossegundos até vários microssegundos, dependendo da perfeição do cristal e de outros fatores.

III. Um semicondutor intrínseco é um semicondutor puro. Um cristal será um semicondutor intrínseco se todos os átomos do cristal forem de silício. Na temperatura ambiente, um cristal de silício comporta-se como um isolante aproximadamente.

IV. Uma forma de aumentar a condutibilidade de um semicondutor é pela dopagem. Isso significa adicionar impurezas aos átomos de um cristal intrínseco para alterar sua condutibilidade elétrica. Um semicondutor dopado é chamado semicondutor extrínseco.

V. Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de elétrons livres ou um excesso de lacunas. O silício que foi dopado com uma impureza pentavalente é chamado semicondutor tipo n. Um silício que foi dopado com uma impureza trivalente é chamado semicondutor tipo p.

Estão CORRETOS: