Questão 1384413

1384413 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC

Provas:

Que processos são utilizados para obter junções rasas (com profundidade menor que 50 nm) em Si do tipo n+?

Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.

Implantação de íons de ³¹P⁺seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.

Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 600ºC.

Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de 600ºC.

Implantação de íons de³¹P⁺seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de 1000ºC.

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