Analise as sentenças a seguir, referentes a uma etapa de fabricação de microeletrônica:

I) O processo de difusão consiste em mover átomos dopantes para dentro da estrutura cristalina de um semicondutor, a partir de uma região com alta concentração para outra com baixa concentração.

II) A difusão é um processo que depende fortemente da temperatura, sendo usualmente realizada em faixas de temperatura entre 700 e 1200 °C.

III) No processo de difusão, a profundidade com que as impurezas se difundem é somente função da temperatura.

Estão corretas as sentenças: