Magna Concursos
Questões
Planos
Entrar
Entrar
Criar Conta
Respondida
1408658
Ano:
2012
Disciplina:
Engenharia Eletrônica
Banca:
FUNRIO
Orgão:
CEITEC
Provas:
Especialista em Tecnologia Eletrônica Avançada - ESPCON
Provas
×
Especialista em Tecnologia Eletrônica Avançada - ESPDNE
Provas
×
Tópicos avançados em microeletrônica
Em um transistor PMOS de efeito de campo de um processo CMOS padrão,
A
a região do dreno deve ser mais dopada que a da fonte.
B
a região da fonte deve ser mais dopada que a do dreno.
C
dreno e fonte devem ser fortemente dopados com fósforo.
D
dreno e fonte são alinhados pela respectiva porta, não necessitando de máscara litográfica específica.
E
a mobilidade dos portadores de carga no canal é maior que a dos portadores no canal de um NMOS com as mesmas dimensões.
Resolver
Comentários
0
×
Cadernos
×
Flashcards
×
Estatísticas
×
Reportar um erro
×
Provas
Questão presente nas seguintes provas
Especialista em Tecnologia Eletrônica Avançada - ESPCON
50 Questões
Resolver Prova
Especialista em Tecnologia Eletrônica Avançada - ESPDNE
50 Questões
Resolver Prova
Publicar
Responder
Qual o problema da questão?
Selecione uma opção
Questão Desatualizada
Questão Repetida
Gabarito Errado
Outros Motivos
Mensagem
Enviar
Acessar
Criar Conta
Acesse sua Conta
Google
Facebook
Esqueci minha senha
Acessar
Ainda não tem conta?
Crie uma
!
Crie uma Conta
Criar Conta
Olá, para continuar, precisamos criar uma conta!
É
rápido
e
grátis
.
Google
Facebook
Concordo com os
Termos de Uso
Criar
Já tem uma conta?
Acesse aqui
