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Respondida
1409209
Ano:
2012
Disciplina:
Engenharia Eletrônica
Banca:
FUNRIO
Orgão:
CEITEC
Provas:
Especialista em Tecnologia Eletrônica Avançada - FILFIN
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Tópicos avançados em microeletrônica
A incorporação de oxigênio (O
2
) residual ao filme fino pode causar
A
aumento da resistividade do filme.
B
indução à formação de
hillocks
.
C
tensões.
D
inibição à formação de
hillocks
.
E
aumento da condutividade.
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