Ao se observarem duas amostras de silício, uma de material intrínseco e outra de material tipo N, verifica-se que, à temperatura ambiente, a concentração de elétrons livres é maior na amostra tipo N. Considerando que a concentração de portadores na banda de condução é obtida multiplicando a densidade de estados na banda e a probabilidade de ocupação, é correto inferir que a diferença de concentração entre as referidas amostras tem como principal causa o efeito da dopagem