De acordo com a teoria para os dispositivos semicondutores, para o diodo de silício afirma-se que:
I. A região de depleção é formada pelo deslocamento de cargas negativas (elétrons) dentro de material tipo “N”.
II. A quantidade de portadores majoritários e minoritários não depende da dopagem dos dois tipos de materiais, tipo “N” e tipo “P”.
III. A polarização reversa do diodo tende a diminuir a camada de depleção.
IV. A camada de depleção é formada na junção entre os dois tipos de materiais e será maior quanto maior for a dopagem dos materiais tipo “N” e tipo “P”.
Está(ão) correta(s) apenas a(s) afirmativa(s)
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