Na fabricação de dispositivos semicondutores, quando há deposição de uma camada de monocristal sobre o substrato, a camada depositada assume exatamente a orientação cristalina do substrato. Esse tipo de deposição é conhecido como crescimento epitaxial, ou simplesmente epitaxia. A tecnologia atual usa redução de hidrogênio dos gases SiH4 e SiCl4 como fonte de silício para a deposição. O SiH4 apresenta, como vantagem, menor temperatura e uma taxa de crescimento maior que o SiCl4. Dessa forma, caso haja a necessidade de produzir filmes epitaxiais dopados, utiliza-se