Magna Concursos
2479412 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFBA
Orgão: UNILAB
O IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor – é um componente eletrônico que foi construído pelo modelo híbrido entre o TJB e o Retificador Controlado de Silício (SCR), conciliando, assim, as vantagens de ambos os componentes e sendo empregado com eficiência em diversos equipamentos eletrônicos de controle de potência.
 

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