O aumento da resistência série reduz a inclinação da curva na região de tensão de circuito aberto, e a diminuição da resistência paralela aumenta a inclinação na região de corrente de curto-circuito, ambos degradando o Fator de Preenchimento.

A resistência série elevada aumenta a tensão de circuito aberto devido ao efeito Joule interno, melhorando o Fator de Preenchimento em condições de alta irradiância solar incidente.

O Fator de Preenchimento é uma propriedade geométrica intrínseca da rede cristalina do silício e não é afetado por perdas ôhmicas, dependendo exclusivamente da temperatura da célula.

A resistência paralela (shunt) deve ser mantida no menor valor possível para drenar correntes de fuga indesejadas, garantindo que o Fator de Preenchimento permaneça elevado e estável no tempo.