Considere um MOSFET NMOS de canal longo, com fonte e
substrato conectados (VSB = 0), operando em regime DC com VGS
= 0,8 V, VTH = 0,6 V e VDS = 0,5 V. Mede-se ID
= 1,0 mA. Admita o
modelo em saturação com modulação de comprimento de canal,
em que:
gm ≈ 2ID /VOV, com VOV = VGS − VTH, e ro ≈ 1/(λID).
Considere λ = 0,10 V-¹ e um resistor RD = 10 kΩ ligado ao dreno (configuração fonte comum), desprezando capacitâncias. A região de operação e os valores aproximados de gm , ro e do ganho de pequeno-sinal Av = vout/vin são:
gm ≈ 2ID /VOV, com VOV = VGS − VTH, e ro ≈ 1/(λID).
Considere λ = 0,10 V-¹ e um resistor RD = 10 kΩ ligado ao dreno (configuração fonte comum), desprezando capacitâncias. A região de operação e os valores aproximados de gm , ro e do ganho de pequeno-sinal Av = vout/vin são:
