Devido a uma falha no processo de fabricação de uma junção PN de silício, o lado P ficou sem dopagem.

Considerando a temperatura de 300 K, número intrínseco do silício de, aproximadamente, 10     e/cm³ e o número de doadores do lado N igual a 3 x 10¹⁶/cm³ , a voltagem na barreira de potencial dessa junção é de aproximadamente

(Obs: constante de Boltzman (k) = 1,38 x 10^-23 J/K; carga do elétron (q) = 1,6 x 10^-19 C; ln(3)≈1,1 e ln(10)≈2,3)